光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上。

光刻機該機可采用紫外光、深紫外光、甚至更短波長的極紫外光作為光源，用DMD數字微鏡陣列替代傳統掩模板，采用積木 錯位蠅眼透鏡實現高均勻照明。

該機可采用紫外光、深紫外光、甚至更短波長的極紫外光作為光源，用DMD數字微鏡陣列替代傳統掩模板，采用積木 錯位蠅眼透鏡實現高均勻照明，并配備了雙目雙視顯微鏡和CCD圖象對準系統（可同時使用），拼接獲得大面積圖形，曝光設定采用微機控制，菜單界面友好，操作簡便。

光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。

分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。

對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。

曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。

曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域，光源有汞燈，準分子激光器等。

分類

光刻機一般根據操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動

A 手動：指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了；

B 半自動：指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧；

C 自動： 指的是 從基板的上載下載，曝光時長和循環都是通過程序控制，自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要。